Π§ΠΈΡ‚Π°ΠΉΡ‚Π΅ ΠΊΠ½ΠΈΠ³ΠΈ ΠΎΠ½Π»Π°ΠΉΠ½ Π½Π° Bookidrom.ru! БСсплатныС ΠΊΠ½ΠΈΠ³ΠΈ Π² ΠΎΠ΄Π½ΠΎΠΌ ΠΊΠ»ΠΈΠΊΠ΅

Π§ΠΈΡ‚Π°Ρ‚ΡŒ ΠΎΠ½Π»Π°ΠΉΠ½ Β«Π˜ΡΠΊΡƒΡΡΡ‚Π²ΠΎ схСмотСхники. Π’ΠΎΠΌ 1 [Изд.4-Π΅]Β». Π‘Ρ‚Ρ€Π°Π½ΠΈΡ†Π° 75

Автор ΠŸΠ°ΡƒΠ»ΡŒ Π₯ΠΎΡ€ΠΎΠ²ΠΈΡ†

Рис. 4.35. ЛогарифмичСский ΠΏΡ€Π΅ΠΎΠ±Ρ€Π°Π·ΠΎΠ²Π°Ρ‚Π΅Π»ΡŒ. Вранзисторы Π’1  ΠΈ Π’2  ΠΎΠ±Ρ€Π°Π·ΡƒΡŽΡ‚ ΠΌΠΎΠ½ΠΎΠ»ΠΈΡ‚Π½ΡƒΡŽ ΡΠΎΠ³Π»Π°ΡΠΎΠ²Π°Π½Π½ΡƒΡŽ ΠΏΠ°Ρ€Ρƒ.


Π˜ΡΡ‚ΠΎΡ‡Π½ΠΈΠΊ Ρ‚ΠΎΠΊΠ° (Ρ€ΠΎΠ»ΡŒ ΠΊΠΎΡ‚ΠΎΡ€ΠΎΠ³ΠΎ ΠΌΠΎΠΆΠ΅Ρ‚ Π²Ρ‹ΠΏΠΎΠ»Π½ΡΡ‚ΡŒ рСзистор, Ρ‚Π°ΠΊ ΠΊΠ°ΠΊ ΠΏΠΎΡ‚Π΅Π½Ρ†ΠΈΠ°Π» Ρ‚ΠΎΡ‡ΠΊΠΈ Π’ отличаСтся ΠΎΡ‚ ΠΏΠΎΡ‚Π΅Π½Ρ†ΠΈΠ°Π»Π° Π·Π΅ΠΌΠ»ΠΈ Π½Π° нСсколько дСсятых Π΄ΠΎΠ»Π΅ΠΉ Π²ΠΎΠ»ΡŒΡ‚Π°) Π·Π°Π΄Π°Π΅Ρ‚ Π²Ρ…ΠΎΠ΄Π½ΠΎΠΉ Ρ‚ΠΎΠΊ, слуТащий для установки Π²Ρ‹Ρ…ΠΎΠ΄Π½ΠΎΠ³ΠΎ напряТСния Π½Π° Π½ΡƒΠ»ΡŒ. Π’Ρ‚ΠΎΡ€ΠΎΠΉ ΠΎΠΏΠ΅Ρ€Π°Ρ†ΠΈΠΎΠ½Π½Ρ‹ΠΉ ΡƒΡΠΈΠ»ΠΈΡ‚Π΅Π»ΡŒ являСтся Π½Π΅ΠΈΠ½Π²Π΅Ρ€Ρ‚ΠΈΡ€ΡƒΡŽΡ‰ΠΈΠΌ, Π΅Π³ΠΎ коэффициСнт усилСния ΠΏΠΎ Π½Π°ΠΏΡ€ΡΠΆΠ΅Π½ΠΈΡŽ Π΄ΠΎΠ»ΠΆΠ΅Π½ Π±Ρ‹Ρ‚ΡŒ Ρ€Π°Π²Π΅Π½ ΠΏΡ€ΠΈΠ±Π»ΠΈΠ·ΠΈΡ‚Π΅Π»ΡŒΠ½ΠΎ 16, для Ρ‚ΠΎΠ³ΠΎ Ρ‡Ρ‚ΠΎΠ±Ρ‹ напряТСниС Π½Π° Π²Ρ‹Ρ…ΠΎΠ΄Π΅ измСнялось Π² ΠΎΡ‚Π½ΠΎΡˆΠ΅Π½ΠΈΠΈ β€” 1,0 Π’ Π½Π° Π΄Π΅ΠΊΠ°Π΄Ρƒ Π²Ρ…ΠΎΠ΄Π½ΠΎΠ³ΠΎ Ρ‚ΠΎΠΊΠ° (Π½Π°ΠΏΠΎΠΌΠ½ΠΈΠΌ, Ρ‡Ρ‚ΠΎ напряТСниС Uбэ ΡƒΠ²Π΅Π»ΠΈΡ‡ΠΈΠ²Π°Π΅Ρ‚ся Π² ΠΎΡ‚Π½ΠΎΡˆΠ΅Π½ΠΈΠΈ 60 ΠΌΠ’ Π½Π° Π΄Π΅ΠΊΠ°Π΄Ρƒ ΠΊΠΎΠ»Π»Π΅ΠΊΡ‚ΠΎΡ€Π½ΠΎΠ³ΠΎ Ρ‚ΠΎΠΊΠ°).

Π•Ρ‰Π΅ нСсколько Π΄Π΅Ρ‚Π°Π»Π΅ΠΉ: Ссли Π±Π°Π·Ρƒ транзистора Π’1 ΡΠΎΠ΅Π΄ΠΈΠ½ΠΈΡ‚ΡŒ с Π΅Π³ΠΎ ΠΊΠΎΠ»Π»Π΅ΠΊΡ‚ΠΎΡ€ΠΎΠΌ, Ρ‚ΠΎ Π±Π°Π·ΠΎΠ²Ρ‹ΠΉ Ρ‚ΠΎΠΊ Π±ΡƒΠ΄Π΅Ρ‚ ΡΠΎΠ·Π΄Π°Π²Π°Ρ‚ΡŒ ΠΎΡˆΠΈΠ±ΠΊΡƒ (Π΄Π΅Π»ΠΎ Π² Ρ‚ΠΎΠΌ, Ρ‡Ρ‚ΠΎ Ρ‚ΠΎΠΊ IΠΊ связан Ρ‚ΠΎΡ‡Π½ΠΎΠΉ ΡΠΊΡΠΏΠΎΠ½Π΅Π½Ρ†ΠΈΠ°Π»ΡŒΠ½ΠΎΠΉ Π·Π°Π²ΠΈΡΠΈΠΌΠΎΡΡ‚ΡŒΡŽ с напряТСниСм Uбэ). Π’ этом схСмС благодаря ΠΏΠΎΡ‚Π΅Π½Ρ†ΠΈΠ°Π»ΡŒΠ½ΠΎΠΌΡƒ зазСмлСнию напряТСниС Π½Π° Π±Π°Π·Π΅ Ρ€Π°Π²Π½ΠΎ Π½Π°ΠΏΡ€ΡΠΆΠ΅Π½ΠΈΡŽ Π½Π° ΠΊΠΎΠ»Π»Π΅ΠΊΡ‚ΠΎΡ€Π΅, ΠΎΠ΄Π½Π°ΠΊΠΎ Π±Π°Π·ΠΎΠ²Ρ‹ΠΉ Ρ‚ΠΎΠΊ ΠΎΡˆΠΈΠ±ΠΊΡƒ Π½Π΅ создаСт. Π’ качСствС Π’1 ΠΈ Π’2 слСдуСт ΠΈΡΠΏΠΎΠ»ΡŒΠ·ΠΎΠ²Π°Ρ‚ΡŒ ΡΠΎΠ³Π»Π°ΡΠΎΠ²Π°Π½Π½ΡƒΡŽ ΠΏΠ°Ρ€Ρƒ транзисторов (Π»ΡƒΡ‡ΡˆΠ΅ всСго Π²Π·ΡΡ‚ΡŒ ΡΠΎΠ³Π»Π°ΡΠΎΠ²Π°Π½Π½ΡƒΡŽ ΠΌΠΎΠ½ΠΎΠ»ΠΈΡ‚Π½ΡƒΡŽ ΠΏΠ°Ρ€Ρƒ Ρ‚ΠΈΠΏΠ° LM394 ΠΈΠ»ΠΈ МАВ-01). Вакая схСма обСспСчиваСт Ρ‚ΠΎΡ‡Π½ΡƒΡŽ Π»ΠΎΠ³Π°Ρ€ΠΈΡ„ΠΌΠΈΡ‡Π΅ΡΠΊΡƒΡŽ Π·Π°Π²ΠΈΡΠΈΠΌΠΎΡΡ‚ΡŒ Π²Ρ‹Ρ…ΠΎΠ΄Π½ΠΎΠ³ΠΎ напряТСния ΠΎΡ‚ Π²Ρ…ΠΎΠ΄Π½ΠΎΠ³ΠΎ Ρ‚ΠΎΠΊΠ° Π² ΠΏΡ€Π΅Π΄Π΅Π»Π°Ρ… сСми ΠΈΠ»ΠΈ Π±ΠΎΠ»Π΅Π΅ Π΄Π΅ΠΊΠ°Π΄ (ΠΏΡ€ΠΈΠ±Π»ΠΈΠ·ΠΈΡ‚Π΅Π»ΡŒΠ½ΠΎ ΠΎΡ‚ 1 нА Π΄ΠΎ 10 ΠΌΠ) ΠΏΡ€ΠΈ условии, Ρ‡Ρ‚ΠΎ транзисторы ΠΈΠΌΠ΅ΡŽΡ‚ нСбольшиС Ρ‚ΠΎΠΊΠΈ ΡƒΡ‚Π΅Ρ‡ΠΊΠΈ, Π° ОУ β€” ΠΌΠ°Π»Ρ‹ΠΉ Π²Ρ…ΠΎΠ΄Π½ΠΎΠΉ Ρ‚ΠΎΠΊ смСщСния. ΠžΠΏΠ΅Ρ€Π°Ρ†ΠΈΠΎΠ½Π½Ρ‹ΠΉ ΡƒΡΠΈΠ»ΠΈΡ‚Π΅Π»ΡŒ Ρ‚ΠΈΠΏΠ° 741, Π² ΠΊΠΎΡ‚ΠΎΡ€ΠΎΠΌ Ρ‚ΠΎΠΊ смСщСния Ρ€Π°Π²Π΅Π½ 80 нА, для этой схСмы Π½Π΅ ΠΏΠΎΠ΄Ρ…ΠΎΠ΄ΠΈΡ‚; для получСния Π»ΠΈΠ½Π΅ΠΉΠ½ΠΎΠΉ характСристики Π² ΠΏΡ€Π΅Π΄Π΅Π»Π°Ρ… сСми Π΄Π΅ΠΊΠ°Π΄ ΠΎΠ±Ρ‹Ρ‡Π½ΠΎ ΠΈΡΠΏΠΎΠ»ΡŒΠ·ΡƒΡŽΡ‚ ОУ с ΠΏΠΎΠ»Π΅Π²Ρ‹ΠΌΠΈ транзисторами Π½Π° Π²Ρ…ΠΎΠ΄Π°Ρ…, Π½Π°ΠΏΡ€ΠΈΠΌΠ΅Ρ€ ОУ Ρ‚ΠΈΠΏΠ° 411. ΠšΡ€ΠΎΠΌΠ΅ Ρ‚ΠΎΠ³ΠΎ, для получСния Ρ…ΠΎΡ€ΠΎΡˆΠ΅ΠΉ характСристики ΠΏΡ€ΠΈ ΠΌΠ°Π»Ρ‹Ρ… Π²Ρ…ΠΎΠ΄Π½Ρ‹Ρ… Ρ‚ΠΎΠΊΠ°Ρ… Π²Ρ…ΠΎΠ΄Π½ΠΎΠΉ ОУ слСдуСт Ρ‚ΠΎΡ‡Π½ΠΎ Π½Π°ΡΡ‚Ρ€ΠΎΠΈΡ‚ΡŒ Π½Π° Π½ΡƒΠ»ΡŒ сдвига. Π”Π΅Π»ΠΎ Π² Ρ‚ΠΎΠΌ, Ρ‡Ρ‚ΠΎ ΠΏΡ€ΠΈ Ρ‚ΠΎΠΊΠ°Ρ…, Π±Π»ΠΈΠ·ΠΊΠΈΡ… ΠΊ Π½ΠΈΠΆΠ½Π΅ΠΌΡƒ ΠΏΡ€Π΅Π΄Π΅Π»ΡŒΠ½ΠΎΠΌΡƒ Π·Π½Π°Ρ‡Π΅Π½ΠΈΡŽ, напряТСниС UΠ²Ρ… ΠΌΠΎΠΆΠ΅Ρ‚ ΡΠΎΡΡ‚Π°Π²Π»ΡΡ‚ΡŒ всСго нСсколько дСсятков ΠΌΠΈΠΊΡ€ΠΎΠ²ΠΎΠ»ΡŒΡ‚. Π›ΡƒΡ‡ΡˆΠ΅ всСго ΠΏΡ€ΠΈΠΌΠ΅Π½ΠΈΡ‚ΡŒ Π² этой схСмС источник Ρ‚ΠΎΠΊΠ° Π½Π° Π²Ρ…ΠΎΠ΄Π΅ ΠΈ Π²ΠΎΠΎΠ±Ρ‰Π΅ Π½Π΅ ΠΈΡΠΏΠΎΠ»ΡŒΠ·ΠΎΠ²Π°Ρ‚ΡŒ рСзистор R1.

ΠšΠΎΠ½Π΄Π΅Π½ΡΠ°Ρ‚ΠΎΡ€ Π‘1 слуТит для частотной стабилизации ΠΏΡ€ΠΈ Π²ΠΊΠ»ΡŽΡ‡Π΅Π½ΠΈΠΈ ΠΎΠ±Ρ€Π°Ρ‚Π½ΠΎΠΉ связи, Ρ‚Π°ΠΊ ΠΊΠ°ΠΊ усилСниС ΠΏΠΎ Π½Π°ΠΏΡ€ΡΠΆΠ΅Π½ΠΈΡŽ Π² ΠΊΠΎΠ½Ρ‚ΡƒΡ€Π΅ ОБ опрСдСляСт транзистор Π’1. Π”ΠΈΠΎΠ΄ Π”1 ΠΏΡ€Π΅Π΄ΠΎΡ‚Π²Ρ€Π°Ρ‰Π°Π΅Ρ‚ ΠΏΡ€ΠΎΠ±ΠΎΠΉ ΠΈ Ρ€Π°Π·Ρ€ΡƒΡˆΠ΅Π½ΠΈΠ΅ ΠΏΠ΅Ρ€Π΅Ρ…ΠΎΠ΄Π° Π±Π°Π·Π°-эмиттСр транзистора Π’1 Π² случаС появлСния ΠΎΡ‚Ρ€ΠΈΡ†Π°Ρ‚Π΅Π»ΡŒΠ½ΠΎΠ³ΠΎ напряТСния Π½Π° Π²Ρ…ΠΎΠ΄Π΅; это Π½Π΅ΠΎΠ±Ρ…ΠΎΠ΄ΠΈΠΌΠΎ, Ρ‚Π°ΠΊ ΠΊΠ°ΠΊ транзистор Π’1 Π½Π΅ обСспСчиваСт Ρ†Π΅ΠΏΡŒ ΠΎΠ±Ρ€Π°Ρ‚Π½ΠΎΠΉ связи ΠΏΡ€ΠΈ ΠΏΠΎΠ»ΠΎΠΆΠΈΡ‚Π΅Π»ΡŒΠ½ΠΎΠΌ Π²Ρ‹Ρ…ΠΎΠ΄Π½ΠΎΠΌ напряТСнии ΠΎΠΏΠ΅Ρ€Π°Ρ†ΠΈΠΎΠ½Π½ΠΎΠ³ΠΎ усилитСля. ОбС эти ΠΏΡ€ΠΎΠ±Π»Π΅ΠΌΡ‹ ΠΌΠΎΠΆΠ½ΠΎ ΡƒΡΡ‚Ρ€Π°Π½ΠΈΡ‚ΡŒ, Ссли транзистор Π’1 Π²ΠΊΠ»ΡŽΡ‡ΠΈΡ‚ΡŒ ΠΊΠ°ΠΊ Π΄ΠΈΠΎΠ΄, Ρ‚. Π΅. ΡΠΎΠ΅Π΄ΠΈΠ½ΠΈΡ‚ΡŒ Π΅Π³ΠΎ Π±Π°Π·Ρƒ с ΠΊΠΎΠ»Π»Π΅ΠΊΡ‚ΠΎΡ€ΠΎΠΌ.

ВСмпСратурная компСнсация усилСния.

Вранзистор Π’2 компСнсируСт измСнСния падСния напряТСния Uбэ Π² транзисторС Π’1, связанныС с ΠΈΠ·ΠΌΠ΅Π½Π΅Π½ΠΈΠ΅ΠΌ Ρ‚Π΅ΠΌΠΏΠ΅Ρ€Π°Ρ‚ΡƒΡ€Ρ‹ ΠΎΠΊΡ€ΡƒΠΆΠ°ΡŽΡ‰Π΅ΠΉ срСды, ΠΎΠ΄Π½Π°ΠΊΠΎ ΠΈΠ·ΠΌΠ΅Π½Π΅Π½ΠΈΠ΅ Π½Π°ΠΊΠ»ΠΎΠ½Π° Π³Ρ€Π°Ρ„ΠΈΠΊΠ° зависимости напряТСния Uбэ ΠΎΡ‚ Ρ‚ΠΎΠΊΠ° IΠΊ Π½Π΅ компСнсируСтся. Π’ Ρ€Π°Π·Π΄. 2.10 ΠΌΡ‹ установили, Ρ‡Ρ‚ΠΎ Π·Π°Π²ΠΈΡΠΈΠΌΠΎΡΡ‚ΡŒ Β«60 ΠΌΠ’/Π΄Π΅ΠΊΠ°Π΄Π°Β» ΠΏΡ€ΠΎΠΏΠΎΡ€Ρ†ΠΈΠΎΠ½Π°Π»ΡŒΠ½Π° Π°Π±ΡΠΎΠ»ΡŽΡ‚Π½ΠΎΠΉ Ρ‚Π΅ΠΌΠΏΠ΅Ρ€Π°Ρ‚ΡƒΡ€Π΅. Π’Ρ‹Ρ…ΠΎΠ΄Π½ΠΎΠ΅ напряТСниС Π² нашСй схСмС ΠΈΠ»Π»ΡŽΡΡ‚Ρ€ΠΈΡ€ΡƒΠ΅Ρ‚ΡΡ Π³Ρ€Π°Ρ„ΠΈΠΊΠΎΠΌ, прСдставлСнным Π½Π° рис. 4.36.



Рис. 4.36.


ИдСальная компСнсация обСспСчиваСтся Π² Ρ‚ΠΎΠΌ случаС, ΠΊΠΎΠ³Π΄Π° Π²Ρ…ΠΎΠ΄Π½ΠΎΠΉ Ρ‚ΠΎΠΊ Ρ€Π°Π²Π΅Π½ I0 β€” ΠΊΠΎΠ»Π»Π΅ΠΊΡ‚ΠΎΡ€Π½ΠΎΠΌΡƒ Ρ‚ΠΎΠΊΡƒ транзистора Π’2. ИзмСнСниС Ρ‚Π΅ΠΌΠΏΠ΅Ρ€Π°Ρ‚ΡƒΡ€Ρ‹ Π½Π° 30 Β°C Π²Ρ‹Π·Ρ‹Π²Π°Π΅Ρ‚ ΠΈΠ·ΠΌΠ΅Π½Π΅Π½ΠΈΠ΅ ΡƒΠ³Π»Π° Π½Π°ΠΊΠ»ΠΎΠ½Π° Π³Ρ€Π°Ρ„ΠΈΠΊΠ° Π½Π° 10 % ΠΈ сопровоТдаСтся появлСниСм ΡΠΎΠΎΡ‚Π²Π΅Ρ‚ΡΡ‚Π²ΡƒΡŽΡ‰Π΅ΠΉ ошибки Π² Π²Ρ‹Ρ…ΠΎΠ΄Π½ΠΎΠΌ напряТСнии. ЕдинствСнный Π²Ρ‹Ρ…ΠΎΠ΄ ΠΈΠ· полоТСния состоит Π² Ρ‚ΠΎΠΌ, Ρ‡Ρ‚ΠΎΠ±Ρ‹ Π·Π°ΠΌΠ΅Π½ΠΈΡ‚ΡŒ рСзистор R2 ΠΏΠΎΡΠ»Π΅Π΄ΠΎΠ²Π°Ρ‚Π΅Π»ΡŒΠ½Ρ‹ΠΌ соСдинСниСм ΠΎΠ±Ρ‹Ρ‡Π½ΠΎΠ³ΠΎ рСзистора ΠΈ рСзистора с ΠΏΠΎΠ»ΠΎΠΆΠΈΡ‚Π΅Π»ΡŒΠ½Ρ‹ΠΌ Ρ‚Π΅ΠΌΠΏΠ΅Ρ€Π°Ρ‚ΡƒΡ€Π½Ρ‹ΠΌ коэффициСнтом. Зная Ρ‚Π΅ΠΌΠΏΠ΅Ρ€Π°Ρ‚ΡƒΡ€Π½Ρ‹ΠΉ коэффициСнт рСзистора (Π½Π°ΠΏΡ€ΠΈΠΌΠ΅Ρ€, Ρ‚Π΅ΠΌΠΏΠ΅Ρ€Π°Ρ‚ΡƒΡ€Π½Ρ‹ΠΉ коэффициСнт рСзистора Ρ‚ΠΈΠΏΠ° TG1/8 Ρ„ΠΈΡ€ΠΌΡ‹ Texas Instruments Ρ€Π°Π²Π΅Π½ +0,67 %/Β°Π‘), ΠΌΠΎΠΆΠ½ΠΎ ΠΎΠΏΡ€Π΅Π΄Π΅Π»ΠΈΡ‚ΡŒ сопротивлСниС ΠΎΠ±Ρ‹Ρ‡Π½ΠΎΠ³ΠΎ рСзистора, ΠΊΠΎΡ‚ΠΎΡ€Ρ‹ΠΉ ΠΏΡ€ΠΈ ΠΏΠΎΡΠ»Π΅Π΄ΠΎΠ²Π°Ρ‚Π΅Π»ΡŒΠ½ΠΎΠΌ соСдинСнии обСспСчит ΠΈΠ΄Π΅Π°Π»ΡŒΠ½ΡƒΡŽ ΠΊΠΎΠΌΠΏΠ΅Π½ΡΠ°Ρ†ΠΈΡŽ. НапримСр, ΠΊ Ρ‚ΠΎΠ»ΡŒΠΊΠΎ Ρ‡Ρ‚ΠΎ упомянутому рСзистору Ρ‚ΠΈΠΏΠ° TG1/8 с сопротивлСниСм 2,7 кОм слСдуСт ΠΏΠΎΡΠ»Π΅Π΄ΠΎΠ²Π°Ρ‚Π΅Π»ΡŒΠ½ΠΎ ΠΏΠΎΠ΄ΠΊΠ»ΡŽΡ‡ΠΈΡ‚ΡŒ рСзистор с сопротивлСниСм 2,4 кОм.

ΠŸΡ€ΠΎΠΌΡ‹ΡˆΠ»Π΅Π½Π½ΠΎΡΡ‚ΡŒ выпускаСт нСсколько ΠΈΠ½Ρ‚Π΅Π³Ρ€Π°Π»ΡŒΠ½Ρ‹Ρ… логарифмичСских ΠΏΡ€Π΅ΠΎΠ±Ρ€Π°Π·ΠΎΠ²Π°Ρ‚Π΅Π»Π΅ΠΉ. Они ΠΎΠ±Π»Π°Π΄Π°ΡŽΡ‚ ΠΎΡ‡Π΅Π½ΡŒ Ρ…ΠΎΡ€ΠΎΡˆΠΈΠΌΠΈ характСристиками ΠΈ ΠΈΠΌΠ΅ΡŽΡ‚ Π²Π½ΡƒΡ‚Ρ€Π΅Π½Π½ΡŽΡŽ Ρ‚Π΅ΠΌΠΏΠ΅Ρ€Π°Ρ‚ΡƒΡ€Π½ΡƒΡŽ ΠΊΠΎΠΌΠΏΠ΅Π½ΡΠ°Ρ†ΠΈΡŽ. Π‘Ρ€Π΅Π΄ΠΈ Ρ„ΠΈΡ€ΠΌ-ΠΈΠ·Π³ΠΎΡ‚ΠΎΠ²ΠΈΡ‚Π΅Π»Π΅ΠΉ Π½Π°Π·ΠΎΠ²Π΅ΠΌ Analog Devices, Burr-Brown, Philbrick, Intersil ΠΈ National Semiconductor.

Π£ΠΏΡ€Π°ΠΆΠ½Π΅Π½ΠΈΠ΅ 4.7. Π”ΠΎΠΏΠΎΠ»Π½ΠΈΡ‚Π΅ схСму логарифмичСского прСобразоватСля ΡΠ»Π΅Π΄ΡƒΡŽΡ‰ΠΈΠΌΠΈ элСмСнтами: Π°) внСшним источником Π²Ρ…ΠΎΠ΄Π½ΠΎΠ³ΠΎ Ρ‚ΠΎΠΊΠ°; Π±) Ρ†Π΅ΠΏΡŒΡŽ Ρ‚Π΅ΠΌΠΏΠ΅Ρ€Π°Ρ‚ΡƒΡ€Π½ΠΎΠΉ компСнсации с использованиСм рСзистора Ρ‚ΠΈΠΏΠ° TG1/8 (с Ρ‚Π΅ΠΌΠΏΠ΅Ρ€Π°Ρ‚ΡƒΡ€Π½Ρ‹ΠΌ коэффициСнтом, Ρ€Π°Π²Π½Ρ‹ΠΌ +0,67 %/Β°Π‘). ΠŸΠΎΠ΄Π±Π΅Ρ€ΠΈΡ‚Π΅ ΠΊΠΎΠΌΠΏΠΎΠ½Π΅Π½Ρ‚Ρ‹ Ρ‚Π°ΠΊΠΈΠΌ ΠΎΠ±Ρ€Π°Π·ΠΎΠΌ, Ρ‡Ρ‚ΠΎΠ±Ρ‹ ΠΎΡ‚Π½ΠΎΡΠΈΡ‚Π΅Π»ΡŒΠ½ΠΎΠ΅ ΠΈΠ·ΠΌΠ΅Π½Π΅Π½ΠΈΠ΅ Π²Ρ‹Ρ…ΠΎΠ΄Π½ΠΎΠ³ΠΎ напряТСния составляло UΠ²Ρ‹Ρ… = +1 Π’ Π½Π° Π΄Π΅ΠΊΠ°Π΄Ρƒ. ΠŸΡ€Π΅Π΄ΡƒΡΠΌΠΎΡ‚Ρ€ΠΈΡ‚Π΅ Π²ΠΎΠ·ΠΌΠΎΠΆΠ½ΠΎΡΡ‚ΡŒ управлСния Π²Ρ‹Ρ…ΠΎΠ΄Π½Ρ‹ΠΌ сдвигом, которая позволяла Π±Ρ‹ ΠΏΡ€ΠΈ любом Π²Ρ…ΠΎΠ΄Π½ΠΎΠΌ Ρ‚ΠΎΠΊΠ΅ ΡƒΡΡ‚Π°Π½Π°Π²Π»ΠΈΠ²Π°Ρ‚ΡŒ Π½ΡƒΠ»Π΅Π²ΠΎΠ΅ Π·Π½Π°Ρ‡Π΅Π½ΠΈΠ΅ для UΠ²Ρ‹Ρ… (ΠΏΡƒΡ‚Π΅ΠΌ смСщСния ΠΈΠ½Π²Π΅Ρ€Ρ‚ΠΈΡ€ΡƒΡŽΡ‰Π΅Π³ΠΎ усилитСля, Π° Π½Π΅ Π·Π° счСт Ρ€Π΅Π³ΡƒΠ»ΠΈΡ€ΠΎΠ²ΠΊΠΈ Ρ‚ΠΎΠΊΠ° Io).


4.15. Активный ΠΏΠΈΠΊΠΎΠ²Ρ‹ΠΉ Π΄Π΅Ρ‚Π΅ΠΊΡ‚ΠΎΡ€

Π’ΠΎ ΠΌΠ½ΠΎΠ³ΠΈΡ… практичСских случаях трСбуСтся ΠΎΠΏΡ€Π΅Π΄Π΅Π»ΠΈΡ‚ΡŒ ΠΏΠΈΠΊΠΎΠ²ΠΎΠ΅ Π·Π½Π°Ρ‡Π΅Π½ΠΈΠ΅ Π²Ρ…ΠΎΠ΄Π½ΠΎΠ³ΠΎ колСбания. Π’ ΠΏΡ€ΠΎΡΡ‚Π΅ΠΉΡˆΠ΅ΠΌ случаС для этой Ρ†Π΅Π»ΠΈ ΠΌΠΎΠΆΠ½ΠΎ ΠΈΡΠΏΠΎΠ»ΡŒΠ·ΠΎΠ²Π°Ρ‚ΡŒ Π΄ΠΈΠΎΠ΄ ΠΈ кондСнсатор (рис. 4.37).



Рис. 4.37.


НаибольшСС Π·Π½Π°Ρ‡Π΅Π½ΠΈΠ΅ Π²Ρ…ΠΎΠ΄Π½ΠΎΠ³ΠΎ колСбания заряТаСт кондСнсатор, ΠΊΠΎΡ‚ΠΎΡ€Ρ‹ΠΉ сохраняСт заряд Π΄ΠΎ Ρ‚Π΅Ρ… ΠΏΠΎΡ€, ΠΏΠΎΠΊΠ° Π΄ΠΈΠΎΠ΄ смСщСн Π² ΠΎΠ±Ρ€Π°Ρ‚Π½ΠΎΠΌ Π½Π°ΠΏΡ€Π°Π²Π»Π΅Π½ΠΈΠΈ. Π­Ρ‚ΠΎΡ‚ ΠΌΠ΅Ρ‚ΠΎΠ΄ ΠΈΠΌΠ΅Π΅Ρ‚ ΡΠ΅Ρ€ΡŒΠ΅Π·Π½Ρ‹Π΅ нСдостатки. Π’Ρ…ΠΎΠ΄Π½ΠΎΠΉ импСданс являСтся ΠΏΠ΅Ρ€Π΅ΠΌΠ΅Π½Π½ΠΎΠΉ Π²Π΅Π»ΠΈΡ‡ΠΈΠ½ΠΎΠΉ, ΠΈ Π² ΠΌΠΎΠΌΠ΅Π½Ρ‚ ΠΏΠΈΠΊΠΎΠ² Π²Ρ…ΠΎΠ΄Π½ΠΎΠ³ΠΎ колСбания ΠΎΠ½ ΠΎΡ‡Π΅Π½ΡŒ ΠΌΠ°Π». ΠšΡ€ΠΎΠΌΠ΅ Ρ‚ΠΎΠ³ΠΎ, ΠΈΠ·-Π·Π° падСния напряТСния Π½Π° Π΄ΠΈΠΎΠ΄Π΅ эта схСма Π½Π΅Ρ‡ΡƒΠ²ΡΡ‚Π²ΠΈΡ‚Π΅Π»ΡŒΠ½Π° ΠΊ ΠΏΠΈΠΊΠ°ΠΌ, мСньшим 0,6 Π’, Π° для Π±ΠΎΠ»ΡŒΡˆΠΈΡ… ΠΏΠΈΠΊΠΎΠ² ΠΎΠ½Π° Π΄Π°Π΅Ρ‚ ΠΎΡˆΠΈΠ±ΠΊΡƒ (Π½Π° Π²Π΅Π»ΠΈΡ‡ΠΈΠ½Ρƒ падСния напряТСния Π½Π° Π΄ΠΈΠΎΠ΄Π΅). Π‘ΠΎΠ»Π΅Π΅ Ρ‚ΠΎΠ³ΠΎ, ΠΏΠ°Π΄Π΅Π½ΠΈΠ΅ напряТСния Π½Π° Π΄ΠΈΠΎΠ΄Π΅ зависит ΠΎΡ‚ Ρ‚Π΅ΠΌΠΏΠ΅Ρ€Π°Ρ‚ΡƒΡ€Ρ‹ ΠΈ ΠΏΡ€ΠΎΡ‚Π΅ΠΊΠ°ΡŽΡ‰Π΅Π³ΠΎ Ρ‡Π΅Ρ€Π΅Π· Π΄ΠΈΠΎΠ΄ Ρ‚ΠΎΠΊΠ°, Π° это Π·Π½Π°Ρ‡ΠΈΡ‚, Ρ‡Ρ‚ΠΎ ΠΏΠΎΠ³Ρ€Π΅ΡˆΠ½ΠΎΡΡ‚ΡŒ схСмы зависит ΠΎΡ‚ Ρ‚Π΅ΠΌΠΏΠ΅Ρ€Π°Ρ‚ΡƒΡ€Ρ‹ ΠΎΠΊΡ€ΡƒΠΆΠ°ΡŽΡ‰Π΅ΠΉ срСды ΠΈ скорости измСнСния Π²Ρ‹Ρ…ΠΎΠ΄Π½ΠΎΠ³ΠΎ напряТСния; Π½Π°ΠΏΠΎΠΌΠ½ΠΈΠΌ, Ρ‡Ρ‚ΠΎ I = C(dU/dt). ИспользованиС Π½Π° Π²Ρ…ΠΎΠ΄Π΅ эмиттСрного повторитСля позволяСт ΠΈΠ·Π±Π°Π²ΠΈΡ‚ΡŒΡΡ Ρ‚ΠΎΠ»ΡŒΠΊΠΎ ΠΎΡ‚ ΠΏΠ΅Ρ€Π²ΠΎΠ³ΠΎ ΠΈΠ· пСрСчислСнных нСдостатков. На рис. 4.38 ΠΏΠΎΠΊΠ°Π·Π°Π½Π° ΡƒΠ»ΡƒΡ‡ΡˆΠ΅Π½Π½Π°Ρ схСма, Π² ΠΊΠΎΡ‚ΠΎΡ€ΠΎΠΉ ΠΈΡΠΏΠΎΠ»ΡŒΠ·ΡƒΠ΅Ρ‚ΡΡ обратная связь.



Рис. 4.38. ΠŸΠΈΠΊΠΎΠ²Ρ‹ΠΉ Π΄Π΅Ρ‚Π΅ΠΊΡ‚ΠΎΡ€ Π½Π° основС ОУ.


Если напряТСниС ΠΎΠ±Ρ€Π°Ρ‚Π½ΠΎΠΉ связи ΡΠ½ΠΈΠΌΠ°Ρ‚ΡŒ с кондСнсатора, Ρ‚ΠΎ ΠΏΠ°Π΄Π΅Π½ΠΈΠ΅ напряТСния Π½Π° Π΄ΠΈΠΎΠ΄Π΅ Π½Π΅ создаст Π½ΠΈΠΊΠ°ΠΊΠΈΡ… ΠΏΡ€ΠΎΠ±Π»Π΅ΠΌ. На рис. 4.39 прСдставлСн Π²ΠΎΠ·ΠΌΠΎΠΆΠ½Ρ‹ΠΉ Π²ΠΈΠ΄ Π²Ρ‹Ρ…ΠΎΠ΄Π½ΠΎΠ³ΠΎ колСбания.



Рис. 4.39.


ΠžΠ³Ρ€Π°Π½ΠΈΡ‡Π΅Π½ΠΈΡ, присущиС ΠΎΠΏΠ΅Ρ€Π°Ρ†ΠΈΠΎΠ½Π½ΠΎΠΌΡƒ ΡƒΡΠΈΠ»ΠΈΡ‚Π΅Π»ΡŽ, ΡΠΊΠ°Π·Ρ‹Π²Π°ΡŽΡ‚ΡΡ Π½Π° этой схСмС двояко: Π°) ΠšΠΎΠ½Π΅Ρ‡Π½Π°Ρ ΡΠΊΠΎΡ€ΠΎΡΡ‚ΡŒ нарастания ОУ ΠΏΠΎΡ€ΠΎΠΆΠ΄Π°Π΅Ρ‚ ΠΏΡ€ΠΎΠ±Π»Π΅ΠΌΡ‹ Π΄Π°ΠΆΠ΅ для ΠΎΡ‚Π½ΠΎΡΠΈΡ‚Π΅Π»ΡŒΠ½ΠΎ ΠΌΠ΅Π΄Π»Π΅Π½Π½ΠΎ ΠΌΠ΅Π½ΡΡŽΡ‰ΠΈΡ…ΡΡ Π²Ρ…ΠΎΠ΄Π½Ρ‹Ρ… сигналов. Для большСй ясности ΠΎΡ‚ΠΌΠ΅Ρ‚ΠΈΠΌ, Ρ‡Ρ‚ΠΎ Π²Ρ‹Ρ…ΠΎΠ΄ ОУ ΠΏΠΎΠΏΠ°Π΄Π°Π΅Ρ‚ Π² ΠΎΡ‚Ρ€ΠΈΡ†Π°Ρ‚Π΅Π»ΡŒΠ½ΠΎΠ΅ насыщСниС, ΠΊΠΎΠ³Π΄Π° Π²Ρ…ΠΎΠ΄ усилитСля ΠΈΠΌΠ΅Π΅Ρ‚ ΠΌΠ΅Π½Π΅Π΅ ΠΏΠΎΠ»ΠΎΠΆΠΈΡ‚Π΅Π»ΡŒΠ½Ρ‹ΠΉ ΠΏΠΎΡ‚Π΅Π½Ρ†ΠΈΠ°Π», Ρ‡Π΅ΠΌ Π²Ρ‹Ρ…ΠΎΠ΄ (ΠΏΠΎΡΡ‚Π°Ρ€Π°ΠΉΡ‚Π΅ΡΡŒ ΠΈΠ·ΠΎΠ±Ρ€Π°Π·ΠΈΡ‚ΡŒ напряТСниС ОУ Π² Π²ΠΈΠ΄Π΅ Π³Ρ€Π°Ρ„ΠΈΠΊΠ°; Π½Π΅ Π·Π°Π±ΡƒΠ΄ΡŒΡ‚Π΅ ΠΎ прямом ΠΏΠ°Π΄Π΅Π½ΠΈΠΈ напряТСния Π½Π° Π΄ΠΈΠΎΠ΄Π΅). Π˜Ρ‚Π°ΠΊ, Π²Ρ‹Ρ…ΠΎΠ΄ ОУ Π΄ΠΎΠ»ΠΆΠ΅Π½ ΡΡ‚Ρ€Π΅ΠΌΠΈΡ‚ΡŒΡΡ ΠΊ Π²Π΅Π»ΠΈΡ‡ΠΈΠ½Π΅ Π²Ρ‹Ρ…ΠΎΠ΄Π½ΠΎΠ³ΠΎ напряТСния (плюс ΠΏΠ°Π΄Π΅Π½ΠΈΠ΅ напряТСния Π½Π° Π΄ΠΈΠΎΠ΄Π΅) Ρ‚ΠΎΠ³Π΄Π°, ΠΊΠΎΠ³Π΄Π° Π²Ρ…ΠΎΠ΄Π½ΠΎΠΉ сигнал Π½Π°Ρ‡ΠΈΠ½Π°Π΅Ρ‚ ΠΏΡ€Π΅Π²Ρ‹ΡˆΠ°Ρ‚ΡŒ ΡƒΡ€ΠΎΠ²Π΅Π½ΡŒ Π²Ρ‹Ρ…ΠΎΠ΄Π½ΠΎΠ³ΠΎ. ΠŸΡ€ΠΈ скорости нарастания S это ΠΌΠΎΠΆΠ½ΠΎ Π³Ρ€ΡƒΠ±ΠΎ ΠΎΠΏΠΈΡΠ°Ρ‚ΡŒ Π²Ρ‹Ρ€Π°ΠΆΠ΅Π½ΠΈΠ΅ΠΌ (UΠ²Ρ‹Ρ… β€” U_)/S, Π³Π΄Π΅ U_ β€” ΠΎΡ‚Ρ€ΠΈΡ†Π°Ρ‚Π΅Π»ΡŒΠ½ΠΎΠ΅ напряТСниС питания, UΠ²Ρ‹Ρ… - Π²Ρ‹Ρ…ΠΎΠ΄Π½ΠΎΠ΅ напряТСниС, Π±) Π’Ρ…ΠΎΠ΄Π½ΠΎΠΉ Ρ‚ΠΎΠΊ смСщСния Π²Ρ‹Π·Ρ‹Π²Π°Π΅Ρ‚ ΠΌΠ΅Π΄Π»Π΅Π½Π½Ρ‹ΠΉ разряд кондСнсатора (ΠΈΠ»ΠΈ Π΅Π³ΠΎ заряд Π² зависимости ΠΎΡ‚ Π·Π½Π°ΠΊΠ° смСщСния). Π­Ρ‚ΠΎ явлСниС Π½Π°Π·Ρ‹Π²Π°ΡŽΡ‚ ΠΈΠ½ΠΎΠ³Π΄Π° Β«ΡƒΡ‚Π΅Ρ‡ΠΊΠΎΠΉ заряда» ΠΈ для Ρ‚ΠΎΠ³ΠΎ, Ρ‡Ρ‚ΠΎΠ±Ρ‹ ΠΈΠ·Π±Π΅ΠΆΠ°Ρ‚ΡŒ Π΅Π³ΠΎ, Π»ΡƒΡ‡ΡˆΠ΅ всСго ΠΈΡΠΏΠΎΠ»ΡŒΠ·ΠΎΠ²Π°Ρ‚ΡŒ ОУ с ΠΎΡ‡Π΅Π½ΡŒ ΠΌΠ°Π»Ρ‹ΠΌ Ρ‚ΠΎΠΊΠΎΠΌ смСщСния. По Ρ‚ΠΎΠΉ ΠΆΠ΅ ΠΏΡ€ΠΈΡ‡ΠΈΠ½Π΅ ΠΈ Π΄ΠΈΠΎΠ΄ слСдуСт ΠΏΠΎΠ΄Π±ΠΈΡ€Π°Ρ‚ΡŒ Ρ‚Π°ΠΊΠΈΠΌ ΠΎΠ±Ρ€Π°Π·ΠΎΠΌ, Ρ‡Ρ‚ΠΎΠ±Ρ‹ ΠΎΠ½ ΠΈΠΌΠ΅Π» ΠΌΠ°Π»ΡƒΡŽ ΡƒΡ‚Π΅Ρ‡ΠΊΡƒ (Π½Π°ΠΏΡ€ΠΈΠΌΠ΅Ρ€, ΠΌΠΎΠΆΠ½ΠΎ ΠΈΡΠΏΠΎΠ»ΡŒΠ·ΠΎΠ²Π°Ρ‚ΡŒ Π΄ΠΈΠΎΠ΄ Ρ‚ΠΈΠΏΠ° FJT1100, ΠΎΠ±Ρ€Π°Ρ‚Π½Ρ‹ΠΉ Ρ‚ΠΎΠΊ ΠΊΠΎΡ‚ΠΎΡ€ΠΎΠ³ΠΎ Π½Π΅ ΠΏΡ€Π΅Π²Ρ‹ΡˆΠ°Π΅Ρ‚ 1 пА ΠΏΡ€ΠΈ напряТСнии 20 Π’, ΠΈΠ»ΠΈ Β«ΠΏΠΎΠ»Π΅Π²ΠΎΠΉ Π΄ΠΈΠΎΠ΄Β» Ρ‚ΠΈΠΏΠ° PAD-1 Ρ„ΠΈΡ€ΠΌΡ‹ Siliconix ΠΈΠ»ΠΈ Ρ‚ΠΈΠΏΠ° ID101 Ρ„ΠΈΡ€ΠΌΡ‹ Intersil); Π²Ρ‹Ρ…ΠΎΠ΄Π½Ρ‹Π΅ каскады ОУ Π΄ΠΎΠ»ΠΆΠ½Ρ‹ ΠΈΠΌΠ΅Ρ‚ΡŒ больший импСданс (Π»ΡƒΡ‡ΡˆΠ΅ всСго ΠΈΡΠΏΠΎΠ»ΡŒΠ·ΠΎΠ²Π°Ρ‚ΡŒ ОУ Π½Π° ΠΏΠΎΠ»Π΅Π²Ρ‹Ρ… транзисторах ΠΈΠ»ΠΈ ОУ со Π²Ρ…ΠΎΠ΄Π°ΠΌΠΈ Π½Π° ΠΏΠΎΠ»Π΅Π²Ρ‹Ρ… транзисторах, Π²) ΠœΠ°ΠΊΡΠΈΠΌΠ°Π»ΡŒΠ½Ρ‹ΠΉ Π²Ρ‹Ρ…ΠΎΠ΄Π½ΠΎΠΉ Ρ‚ΠΎΠΊ ОУ ΠΎΠ³Ρ€Π°Π½ΠΈΡ‡ΠΈΠ²Π°Π΅Ρ‚ ΡΠΊΠΎΡ€ΠΎΡΡ‚ΡŒ измСнСния напряТСния Π½Π° кондСнсаторС, ΠΈΠ½Π°Ρ‡Π΅ говоря, ΡΠΊΠΎΡ€ΠΎΡΡ‚ΡŒ, с ΠΊΠΎΡ‚ΠΎΡ€ΠΎΠΉ сигнал Π½Π° Π²Ρ‹Ρ…ΠΎΠ΄Π΅ отслСТиваСт ΠΈΠ·ΠΌΠ΅Π½Π΅Π½ΠΈΠ΅ сигнала Π½Π° Π²Ρ…ΠΎΠ΄Π΅. ΠŸΠΎΡΡ‚ΠΎΠΌΡƒ ΠΏΡ€ΠΈ Π²Ρ‹Π±ΠΎΡ€Π΅ кондСнсатора приходится ΠΈΠ΄Ρ‚ΠΈ Π½Π° компромисс ΠΌΠ΅ΠΆΠ΄Ρƒ ΡΠΊΠΎΡ€ΠΎΡΡ‚ΡŒΡŽ ΡƒΡ‚Π΅Ρ‡ΠΊΠΈ заряда ΠΈ ΡΠΊΠΎΡ€ΠΎΡΡ‚ΡŒΡŽ нарастания Π²Ρ‹Ρ…ΠΎΠ΄Π½ΠΎΠ³ΠΎ напряТСния.